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FET，MOSFET - 阵列
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HUFA76407DK8T-F085

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级， AEC-Q101， UltraFET™
零件状态
不適用於新設計
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
90 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
11.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
330pF @ 25V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
商品其它信息
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