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FET，MOSFET - 阵列

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ZXMC3A16DN8TA

制造商:Diodes Incorporated
批号:新批次
描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	-
零件状态	有源
FET 类型	N 和 P 沟道
FET 功能	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4.9A，4.1A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	35 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	17.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	796pF @ 25V
功率 - 最大值	1.25W
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装	8-SO

商品其它信息

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