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FET,MOSFET - 阵列
MCH6662-TL-W参考图片

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MCH6662-TL-W

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
160 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
1.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
128pF @ 10V
功率 - 最大值
800mW
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD,扁平引线
供应商器件封装
SC-88FL/MCPH6
商品其它信息
优势价格,MCH6662-TL-W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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