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FET，MOSFET - 阵列
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ZXMC4559DN8TC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.6A，2.6A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
55 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
20.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1063pF @ 30V
功率 - 最大值
2.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
商品其它信息
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