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FET，MOSFET - 单个
SQS415ENW-T1_GE3参考图片

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SQS415ENW-T1_GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
16.1 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
82nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4825pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8W
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8W
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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