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FET,MOSFET - 单个
PMPB15XPZ参考图片

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PMPB15XPZ

  • Nexperia USA Inc.
  • 新批次
  • MOSFET P-CH 12V SOT1220
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
19 毫欧 @ 8.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
100nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2875pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DFN2020MD-6
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
商品其它信息
优势价格,PMPB15XPZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
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