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UGBT、MOSFET - 单
STGB30H60DF参考图片

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STGB30H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 600V 60A 260W D2PAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.4V @ 15V，30A
功率 - 最大值
260W
开关能量
350µJ（开），400µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
105nC
25°C 时 Td（开/关）值
50ns/160ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
110ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
优势价格，STGB30H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTB30N135IHRWG
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1350V 60A 394W TO247
暂无价格
参考库存:11060
IXXH75N60C3D1
IXYS
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IGBT 600V 150A 750W TO247
暂无价格
参考库存:39416
HGTP7N60A4-F102
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT
暂无价格
参考库存:39426
FGH75T65SQDT-F155
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UGBT、MOSFET - 单
650V 75A FS4 TRENCH IGBT
暂无价格
参考库存:39434
HGTP12N60C3D
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IGBT 600V 24A 104W TO220AB
暂无价格
参考库存:25538
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