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UGBT、MOSFET - 单

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AIHD03N60RFATMA1

制造商:Infineon Technologies
批号:新批次
描述:IC DISCRETE 600V TO252-3
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	-
零件状态	Digi-Key 停产
IGBT 类型	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	5A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	7.5A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.5V @ 15V，2.5A
功率 - 最大值	53.6W
开关能量	50µJ（开），40µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	17.1nC
25°C 时 Td（开/关）值	10ns/128ns
测试条件	400V，2.5A，68 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	400V，2.5A，68 欧姆，15V
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装	PG-TO252-3-313

商品其它信息

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