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UGBT、MOSFET - 单
IGZ50N65H5XKSA1参考图片

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IGZ50N65H5XKSA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
TrenchStop™ 5
零件状态
有源
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
85A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
200A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.1V @ 15V,50A
功率 - 最大值
273W
开关能量
410µJ(开),190µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
109nC
25°C 时 Td(开/关)值
20ns/250ns
测试条件
400V,25A,12 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
400V,25A,12 欧姆,15V
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-4
供应商器件封装
PG-TO247-4
商品其它信息
优势价格,IGZ50N65H5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 80A 480W TO264
暂无价格
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UGBT、MOSFET - 单
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参考库存:40799
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暂无价格
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UGBT、MOSFET - 单
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暂无价格
参考库存:40815
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暂无价格
参考库存:40823
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