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UGBT、MOSFET - 单

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SGB02N120ATMA1

制造商:Infineon Technologies
批号:新批次
描述:IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	-
零件状态	最後搶購
IGBT 类型	NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）	1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	6.2A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	9.6A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	3.6V @ 15V，2A
功率 - 最大值	62W
开关能量	220µJ
输入类型	标准
栅极电荷	11nC
25°C 时 Td（开/关）值	23ns/260ns
测试条件	800V，2A，91 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	800V，2A，91 欧姆，15V
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装	PG-TO263-3

商品其它信息

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