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UGBT、MOSFET - 单

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APT70GR65B2SCD30

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参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
134A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
260A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.4V @ 15V,70A
功率 - 最大值
595W
开关能量
595W
输入类型
595W
栅极电荷
305nC
25°C 时 Td(开/关)值
19ns/170ns
测试条件
433V,70A,4.3 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
433V,70A,4.3 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
T-MAX™ [B2]
商品其它信息
优势价格,APT70GR65B2SCD30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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