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UGBT、MOSFET - 单
HGT1S12N60A4S9A参考图片

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HGT1S12N60A4S9A

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 54A 167W TO263AB
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
54A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
96A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.7V @ 15V,12A
功率 - 最大值
167W
开关能量
55µJ(开),50µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
78nC
25°C 时 Td(开/关)值
17ns/96ns
测试条件
390V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
390V,12A,10 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
TO-263AB
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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