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UGBT、MOSFET - 单
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IXBH42N250

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
BIMOSFET™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
2500V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
104A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
400A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3V @ 15V，42A
功率 - 最大值
500W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
200nC
25°C 时 Td（开/关）值
72ns/445ns
测试条件
1250V，42A，20 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
1.7µs
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AD（IXBH）
商品其它信息
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