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UGBT、MOSFET - 单
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IXGA20N120B3-TRL

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
GenX3™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
36A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.1V @ 15V，16A
功率 - 最大值
180W
开关能量
920µJ（开），560µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
51nC
25°C 时 Td（开/关）值
16ns/150ns
测试条件
600V，16A，15 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
31ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
TO-263（IXGA）
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FGPF4533
ON Semiconductor
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RJH60D5DPM-00#T1
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暂无价格
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IGP06N60TXKSA1
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IXSR40N60CD1
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NGB8206NT4G
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暂无价格
参考库存:40295
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