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UGBT、MOSFET - 单
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IXXA50N60B3

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
XPT™,GenX3™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
200A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.8V @ 15V,36A
功率 - 最大值
600W
开关能量
670µJ(开),1.2mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
70nC
25°C 时 Td(开/关)值
27ns/150ns
测试条件
360V,36A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
40ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
TO-263
商品其它信息
优势价格,IXXA50N60B3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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