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UGBT、MOSFET - 单
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FGA50T65SHD

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 650V 100A 319W TO-3PN
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
150A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值
319W
开关能量
1.28mJ（开），384µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
87nC
25°C 时 Td（开/关）值
22.4ns/73.6ns
测试条件
400V，50A，6 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
34.6ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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