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UGBT、MOSFET - 单

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IXYN120N65B3D1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
GenX3™，XPT™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
250A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
770A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.9V @ 15V，100A
功率 - 最大值
830W
开关能量
1.34mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
250nC
25°C 时 Td（开/关）值
30ns/168ns
测试条件
400V，50A，2 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
28ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
商品其它信息
优势价格，IXYN120N65B3D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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