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UGBT、MOSFET - 单
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FGD3N60LSDTM

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 6A 40W DPAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
6A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
25A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.5V @ 10V，3A
功率 - 最大值
40W
开关能量
250µJ（开），1mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
12.5nC
25°C 时 Td（开/关）值
40ns/600ns
测试条件
480V，3A，470 欧姆，10V
反向恢复时间（trr）
234ns
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
D-Pak
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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