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UGBT、MOSFET - 单
HGT1S20N60C3S9A参考图片

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HGT1S20N60C3S9A

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 600V 45A 164W TO263AB
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
不適用於新設計
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
45A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
300A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.8V @ 15V，20A
功率 - 最大值
164W
开关能量
295µJ（开），500µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
91nC
25°C 时 Td（开/关）值
28ns/151ns
测试条件
480V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
480V，20A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
TO-263AB
商品其它信息
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RJH60F0DPK-00#T0
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