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IGBT - 模块

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A2C50S65M2-F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
50A
功率 - 最大值
208W
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.3V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值)
100µA
不同Vce 时的输入电容(Cies)
4.15nF @ 25V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
ACEPACK™ 2
商品其它信息
优势价格,A2C50S65M2-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IGBT - 模块
IGBT MOD 1200V 330A INT-A-PAK
暂无价格
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IGBT - 模块
IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-3
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暂无价格
参考库存:40345
IGBT - 模块
IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP4
暂无价格
参考库存:40353
IGBT - 模块
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暂无价格
参考库存:40361
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