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IGBT - 模块

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A1P50S65M2-F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A
功率 - 最大值
208W
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.3V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）
100µA
不同Vce 时的输入电容（Cies）
4.15nF @ 25V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
ACEPACK™ 1
商品其它信息
优势价格，A1P50S65M2-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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