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FET,MOSFET - 阵列
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PHP225,118

  • Nexperia USA Inc.
  • 新批次
  • MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.3A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
250 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
250pF @ 20V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
商品其它信息
优势价格,PHP225,118的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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