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FET,MOSFET - 阵列
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IRF5852

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HEXFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.7A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
90 毫欧 @ 2.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
400pF @ 15V
功率 - 最大值
960mW
工作温度
960mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP
商品其它信息
优势价格,IRF5852的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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