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FET，MOSFET - 阵列
DMN3032LFDBQ-13参考图片

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DMN3032LFDBQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.2A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
30 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
10.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
500pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
U-DFN2020-6（B 类）
商品其它信息
优势价格，DMN3032LFDBQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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