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FET，MOSFET - 阵列

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MMIX2F60N50P3

  • IXYS
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  • MOSFET N-CH
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HiPerFET™，Polar3™
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
30A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
110 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
96nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6250pF @ 25V
功率 - 最大值
320W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
24-SMD 模块（9 引线）
供应商器件封装
24-SMPD
商品其它信息
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