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FET,MOSFET - 阵列

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DMN3016LDV-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
标准
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
21A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
12 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
9.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1184pF @ 15V
功率 - 最大值
1184pF @ 15V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerDI3333-8
商品其它信息
优势价格,DMN3016LDV-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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