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FET，MOSFET - 阵列
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BSG0810NDIATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
OptiMOS™
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
19A， 39A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
8.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1040pF @ 12V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 155°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PG-TISON-8
商品其它信息
优势价格，BSG0810NDIATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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