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FET,MOSFET - 阵列

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MCB30P1200LB-TUB

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参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
MCB30P1200LB
零件状态
有源
FET 类型
4 N 沟道(半桥)
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
9-PowerSMD
供应商器件封装
9-SMPD-B
商品其它信息
优势价格,MCB30P1200LB-TUB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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