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FET，MOSFET - 阵列

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APTC60AM45T1G

制造商:Microchip Technology
批号:新批次
描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
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参数信息

参数	参数值
包装	散装
系列	-
零件状态	有源
FET 类型	2 个 N 通道（半桥）
FET 功能	标准
漏源电压（Vdss）	600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	49A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	45 毫欧 @ 24.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7200pF @ 25V
功率 - 最大值	250W
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	底座安装
封装/外壳	SP1
供应商器件封装	SP1

商品其它信息

优势价格，APTC60AM45T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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