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FET，MOSFET - 阵列
SI1913EDH-T1-E3参考图片

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SI1913EDH-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
880mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
490 毫欧 @ 880mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
450mV @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
1.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
570mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SC-70-6（SOT-363）
商品其它信息
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