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FET，MOSFET - 阵列

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BSM400D12P2G003

  • Rohm Semiconductor
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  • SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
碳化硅 （SiC）
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
400A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 85mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
38000pF @ 10V
功率 - 最大值
2450W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
商品其它信息
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