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FET，MOSFET - 阵列
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SIZ320DT-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
PowerPAIR®，TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
30A (Tc), 40A (Tc)
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
8.3 毫欧 @ 8A, 10V, 4.24 毫欧 @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
功率 - 最大值
16.7W，31W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-Power33（3x3）
商品其它信息
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