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FET，MOSFET - 阵列
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SH8M31GZETB

  • Rohm Semiconductor
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  • SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.5A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
65mOhm @ 4.5A，10V，70mOhm @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
7nC，40nC @ 5V，10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
500pF，2500pF @ 10V
功率 - 最大值
2W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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