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FET，MOSFET - 射频
NE3516S02-A参考图片

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NE3516S02-A

  • CEL
  • 新批次
  • IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
N 沟道 GaAs HJ-FET
频率
12GHz
增益
14dB
电压 - 测试
2V
额定电流（安培）
60mA
噪声系数
0.35dB
电流 - 测试
10mA
功率 - 输出
165mW
电压 - 额定
4V
封装/外壳
4-SMD，扁平引线
供应商器件封装
S02
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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