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FET，MOSFET - 射频

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A2T26H165-24SR3

  • NXP USA Inc.
  • 新批次
  • IC TRANS RF LDMOS
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
LDMOS（双）
频率
2.5GHz
增益
14.7dB
电压 - 测试
28V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
400mA
功率 - 输出
32W
电压 - 额定
65V
封装/外壳
NI-780S-4L2L
供应商器件封装
NI-780S-4L2L
商品其它信息
优势价格，A2T26H165-24SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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