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FET，MOSFET - 单个
DMN1032UCB4-7参考图片

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DMN1032UCB4-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
26 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
4.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
450pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
900mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-WLB1010-4
封装/外壳
4-UFBGA，WLBGA
商品其它信息
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