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IRF6608

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
HEXFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13A（Ta），55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
9 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
24nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2120pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），42W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DIRECTFET™ ST
封装/外壳
DirectFET™ 等容 ST
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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