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FET，MOSFET - 单个
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NTMSD2P102R2SG

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.3A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
90 毫欧 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
18nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
750pF @ 16V
FET 功能
肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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