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FET,MOSFET - 单个

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FDJ128N_F077

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
PowerTrench®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
35 毫欧 @ 5.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
8nC @ 5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
543pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SC75-6 FLMP
封装/外壳
SC75-6 FLMP
商品其它信息
优势价格,FDJ128N_F077的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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