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FET,MOSFET - 单个
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HAT2173HWS-E

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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
8V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
15 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
6V @ 20mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
61nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4350pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
30W(Tc)
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-LFPAK
封装/外壳
SC-100,SOT-669
商品其它信息
优势价格,HAT2173HWS-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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