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FET，MOSFET - 单个

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R6024ENZM12C8

  • Rohm Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 650V 35A TO PKG
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参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
最後搶購
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
165 毫欧 @ 11.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
70nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1.65nF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
120W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3
封装/外壳
TO-3P-3 整包
商品其它信息
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