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FET，MOSFET - 单个
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ZVN3310ASTOA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
10 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
40pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
625mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
E-Line（TO-92 兼容）
封装/外壳
E-Line-3
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD80R2K8CEBTMA1
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暂无价格
参考库存:52884
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