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FET，MOSFET - 单个
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SIR112DP-T1-RE3

  • Vishay Siliconix
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  • MOSFET N-CHAN 40V
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
37.6A（Ta），133A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
1.96 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
89nC @ 10V
Vgs（最大值）
+20V，-16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4270pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5W（Ta），62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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