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FET，MOSFET - 单个
SIHD7N60E-E3参考图片

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SIHD7N60E-E3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
600 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
40nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
680pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
78W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-PAK（TO-252AA）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
商品其它信息
优势价格，SIHD7N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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