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FET,MOSFET - 单个
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APT32M80J

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
POWER MOS 8™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
190 毫欧 @ 24A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
303nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
9326pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
543W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
供应商器件封装
ISOTOP®
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOC
商品其它信息
优势价格,APT32M80J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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