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FET，MOSFET - 单个
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C3M0032120D

  • Cree/Wolfspeed
  • 新批次
  • 1200V, 32 MOHM, G3 SIC MOSFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
C3M™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
43毫欧 @ 40A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.6V @ 11.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
114nC @ 15V
Vgs（最大值）
+15V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3357pF @ 1000V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
283W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
商品其它信息
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