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FET，MOSFET - 单个
SCT3160KLGC11参考图片

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SCT3160KLGC11

  • Rohm Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
208 毫欧 @ 5A，18V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5.6V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
42nC @ 18V
Vgs（最大值）
+22V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
398pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
103W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247N
封装/外壳
TO-247-3
商品其它信息
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